三个研究团队预测:某些半导体结构可在零磁场环境形成非阿贝尔态
来自麻省理工学院、韩国浦项科技大学和田纳西大学诺克斯维尔分校的三个研究团队从不同角度分别预测,即使在没有磁场的情况下,某些半导体结构也可以形成非阿贝尔态。利用理论模型和高级模拟,这些团队研究了一种扭曲双层半导体材料(由两层二碲化钼堆叠而成),他们发现这种材料有可能在零磁场下呈现出非阿贝尔态。如果这一预测得到实验证实,可能会导致开发出可执行更广泛的任务的高性能量子计算机。
来自麻省理工学院、韩国浦项科技大学和田纳西大学诺克斯维尔分校的三个研究团队从不同角度分别预测,即使在没有磁场的情况下,某些半导体结构也可以形成非阿贝尔态。利用理论模型和高级模拟,这些团队研究了一种扭曲双层半导体材料(由两层二碲化钼堆叠而成),他们发现这种材料有可能在零磁场下呈现出非阿贝尔态。如果这一预测得到实验证实,可能会导致开发出可执行更广泛的任务的高性能量子计算机。