近日，北京量子信息科学研究院（以下简称量子院）原位量子输运团队与合作者在笼目结构金属CsV₃Sb₅中发现了三维隐藏序相变。2024年6月12日，相关研究成果以“通过面内磁输运测量探测笼目结构金属CsV₃Sb₅的三维隐藏序”（ Three-dimensional hidden phase probed by in-plane magnetotransport in kagome metal CsV₃Sb₅）为题，发表在Nature Communications上。

笼目结构拓扑金属AV₃Sb₅（A=Cs, Rb, K），因其非凡的电子结构，成为研究拓扑量子态和电子关联的宝贵材料平台。笼目结构拓扑金属体系展现出丰富多样的量子态和非平庸的电子行为，包括拓扑表面态、具有配对密度波的超导态、电子向列相、电荷密度波、手性电输运、反常霍尔效应和时间反演对称性破缺等。复杂多样的物态引发了科学界的广泛关注，许多实验试图在该体系中寻找潜在的重要量子态，例如非常规超导电性、Majorana零能模和轨道电流序。以CsV₃Sb₅（CVS）为例，该体系中易被观测的两个相变是CDW相变（约90 K）和超导相变（约2.5 K）。有趣的是，越来越多的实验表明在这两个相变之间约35K处存在一个额外的相变。例如，缪子散射实验发现在大约35 K以下CVS中具有明显的破坏了时间反演对称性信号，推测与二维的轨道电流序有关；扫描隧穿显微镜实验、核磁共振实验以及弹性电阻测量指出在约35 K以下形成电子向列序；电输运测量实验发现在该温度以下存在明显的倍频信号。由于实验结果有限，关于这个隐藏序还有很多未知之处，包括破坏时间反演对称性的确切机制、隐藏序的空间对称性以及其基本的电输运特性。

团队长期研究低维量子材料器件物理，与合作者在低维高迁移率材料、低维拓扑材料和低维磁性材料领域完成一系列重要的研究工作，如发现拓扑材料的维度依赖效应以及奇异的磁电阻效应【Physical Review B 103, 155408 (2021)；Physical Review B 104, 125439 (2021)；2D Materials, 10, 015010(2023)；Science Bulletin 68, 1488(2023)】，实现二维反铁磁体中电控的磁振子阀以及发现磁振子输运各向异性（Nature Communications 12,6279 (2021)；Nature Communications, 14, 2526(2023)）等。其中，课题组于2023年在CsV₃Sb₅薄层器件中观测到了维度依赖的非饱和线性磁阻。通过对该体系的电子散射率以及费米面结构的分析，非饱和的线性磁阻源自二维电荷密度波涨落，是电子关联和维度的组合效应。

近期，团队通过测量CsV₃Sb₅薄膜样品的面内磁电阻，发现面内磁电阻与磁场方向呈现出明显的各向异性，而且这种各向异性表现出显著的温度和磁场依赖性（见图1）。通过提取面内磁阻的旋转对称分量，发现其中二重对称性分量（C2）和六重对称性分量(C6)具有明确的物理机制。C2分量与CDW同时出现，并与电子向列相具有相同的对称性，表明C2分量与以上两者相关；在约35 K以下，C6分量出现并且磁场可调，这与轨道电流序的图像吻合。另外, 在这个温度以下，无论是磁场垂直于电流还是平行于电流，面内磁电阻随磁场增加线性减小（即线性面内负磁阻）。种种实验数据表明在35K以下存在一个磁场可调的三维轨道电流序（见图2）。该项研究不仅为CVS中隐藏序的物理性质提供了完整的描述，同时为研究物质奇异量子态之间相互作用以及探测隐藏序提供范例。

(a).面内磁阻测量示意图，其中电流沿着x方向，γ是磁场与y轴之间的角度。(b).零磁场下, CVS样品的电阻-温度曲线，温度范围：2K到300K。电阻-温度曲线在85K处的拐点对应着CDW相变，插图是2K到10K之间电阻-温度曲线的放大图，显示在4.3K发生超导转变。(c)，(d).面内磁阻与γ的极坐标图。图c是温度为5K时的数据，磁场大小依次为1，2，4，6，8，12T；图d是磁场是9T时的数据，温度依次为5，15，25，35，45，50K。

该成果第一作者为量子院助理研究员魏鑫健和北京大学博士研究生田丛宽，通讯作者为北京大学/量子院兼聘研究员陈剑豪，其他作者还包括量子院综合测试平台高级工程师宋源军、冯娅、黄妙龄，北京大学谢心澄院士，北京理工大学姚裕贵教授和王秩伟教授，清华大学熊启华教授，北京师范大学刘翌研究员等。上述研究工作得到了国家重点研发计划“量子调控与量子信息”重点专项、国家自然科学基金、中国科学院战略性先导科技专项等项目的支持。