英特尔日前展示了迄今为止业内有报道的量子芯片最高产量和一致性记录，这是一种由英特尔晶体管研发中心制造的“硅自旋量子比特”设备。这一成就标志着英特尔在晶体管制造工艺上实现了规模化制造量子芯片的一个重要里程碑。这种在低温下表征的设备的产量和一致性的提高，代表了英特尔朝着商业量子计算机所需的数千甚至数百万量子比特迈出的关键一步。

该研究是使用英特尔的第二代硅自旋测试芯片进行的。通过利用英特尔的低温探测器(一种在低温下运行的量子点测试设备)测试设备，该团队分离出了12个量子点和4个传感器位置。这一结果意味着它是业界最大的硅电子自旋器件，并且在整个300毫米的硅晶片上每个位置都有一个电子。

此前的硅自旋量子比特通常只呈现在一个芯片设备上，而英特尔的研究证明了整个晶圆都成功制成了硅自旋量子比特。这些芯片采用极紫外(EUV)光刻技术制造，它显示出显著的一致性，整个晶圆的成品率达到了95%。低温探测器的使用与强大的软件自动化相结合，让他们实现了900多个单量子点和400多个双量子点，并可在不到24小时内在比绝对零度高1度的温度下进行表征。

英特尔量子硬件总监James Clarke,说：“英特尔持续在利用自己的晶体管制造技术来制造硅自旋量子比特方面取得进展。这次实现的高产量和一致性水平表明，在英特尔已建立的晶体管工艺技术上制造量子芯片是一种合理的策略，它是技术成熟获得商业化成功的一个强有力的指标。未来，我们将继续提高这些设备的质量，并开发出更大规模的系统。这些步骤将作为构建基石，能帮助我们快速推进。”（编译:Qtech）