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科学家开发的新工程方法有望克服在光子芯片中制造片上集成光源的障碍

来自澳大利亚TMOS的研究人员与合作者开发出一种能大规模外延生长高质量多量子阱纳米线的工程方法，这种纳米线由半导体材料砷化铟镓和磷化铟制成。该方法有望克服在光子芯片中制造片上集成光源的障碍，它为大规模光子集成展示了一条有前途的道路。相关研究成果已发表在近日的《光：科学与应用》杂志上。

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纳米线半导体材料光子芯片光子集成片上集成量子阱

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