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最近，由美国能源部艾姆斯实验室的科学家领导的研究小组在理解表面氧化物在提高量子计算电路性能的作用方面取得了重要进展。艾姆斯与多个机构的研究人员合作通过使用先进的成像和分析技术，探索了材料微观结构和所得性能之间的关系，这有助于阐明材料结构如何导致退相干。在另一个项目中，艾姆斯的科学家将铌基材料与钽基材料进行了比较，发现两者之间存在结构差异，并表明用钽薄膜制成的器件具有更好的性能。