CEA-Leti的研究人员开发出一种用于互连低温超导量子芯片的新技术
来自法国CEA-Leti实验室的研究人员利用主流的200mm硅晶圆技术构建了一种两级超导后端线(BEOL),以用于互连低温冷却的量子芯片。据了解,该BEOL由两个氮化铌 (NbN) 布线层制成,通过平面化的基于铌的通孔进行连接,并采用了标准的镶嵌技术和两步化学机械抛光工艺流程来进行制造。
来自法国CEA-Leti实验室的研究人员利用主流的200mm硅晶圆技术构建了一种两级超导后端线(BEOL),以用于互连低温冷却的量子芯片。据了解,该BEOL由两个氮化铌 (NbN) 布线层制成,通过平面化的基于铌的通孔进行连接,并采用了标准的镶嵌技术和两步化学机械抛光工艺流程来进行制造。