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英特尔公司日前在硅基自旋量子比特技术方面取得重大进展。他们开发了一种独特的300毫米低温探测工艺，利用CMOS制造技术，其能够在整个晶片上收集有关自旋量子比特装置性能的大量数据。此外，他们的这种自旋量子比特还达到了99.9%的栅极保真度，该公司称这是用全CMOS制造工艺生产出的量子比特目前所能达到的最高水平。