最近，一个国际物理学家团队在存储设备中使用反铁磁材料方面取得了进展。来自日本东京大学、美国康奈尔大学和约翰霍普金斯大学以及英国伯明翰大学的一组研究人员提出了外尔反铁磁体(Mn₃Sn)中“霍尔效应”的解释。这是一种具有特别强自发霍尔效应的材料。

他们的研究结果已发表在《自然·物理学》上，由于该研究对铁磁体和反铁磁体都有影响，因此他们的研究也会对下一代存储设备产生影响。

研究人员之所以对Mn₃Sn这种材料很感兴趣，因为它不是完美的反铁磁体，但又确实具有微弱的外部磁场。于是，该团队想找出这种微弱的磁场是否是造成霍尔效应的原因。

在他们的实验中，该团队使用了伯明翰大学Clifford Hicks博士发明的设备，他也是该论文的合著者。该设备可用于对被测材料施加可调应力。通过将这种应力施加到这种外尔反铁磁体上，研究人员观察到剩余的外部磁场增加了。

如果磁场驱动霍尔效应，那么材料上的电压就会产生相应的影响。研究人员的结果表明，事实上电压并没有发生实质性的变化，这证明磁场并不重要。相反，他们得出结论，材料内旋转电子的排列是造成产生霍尔效应的原因。

该论文的共同作者、伯明翰大学的Clifford Hicks说：“这些实验证明了霍尔效应是由传导电子与其自旋间的量子相互作用所引起的。这些发现对于理解和改进磁存储技术是很重要的。”（编译:Qtech）