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Diraq团队日前宣布，其在基于硅金属氧化物半导体（SiMOS）的量子技术中获得重要进展，在量子纠缠方面取得了一项性能突破。该团队基于硅中门控量子点构建的可扩展量子信息处理单元，首次实验演示了量子点自旋量子比特的贝尔不等式违反。结果清晰地表明了Diraq量子比特系统在全面且严苛的保真度指标范围内的具有非常好的品质。相关研究论文已发表在近日的《自然·通讯》期刊。