Imec基于硅MOS量子点制造工艺生产的自旋量子比特实现创纪录的低电荷噪声

比利时微电子研究中心(imec)日前宣布,其设备已展示了基于300mm硅片的高质量量子点自旋量子比特处理,并且具有出色的电荷噪声性能,其值是在300mm硅晶片上目前所实现的最低电荷噪声值。降低噪声对于维持量子相干性和实现高保真的量子比特控制至关重要。imec通过在300mm硅MOS量子点制造工艺上重复制造和复现该值证明了它的性能。这项工作提高了基于硅量子点的大规模量子计算机成为现实的可能性。

WWW.QTC.COM.CN

量科快讯