量子科技中心_量科网

最近，由新加坡CQT量子技术中心领导的一个国际研究团队制造出了一种基于二维材料的单光子发射器，并首次成功抑制了二维材料中局部激子的非辐射衰变。在该研究中，研究人员是使用只有一个原子厚的二硒化钨（WSe2）材料来建造发射器，并使用激光来产生处于激发态的局域激子，当这种激子衰变回基态时，会随机发生辐射衰变或非辐射衰变。他们通过使用“电荷耗尽”方法来将非辐射衰变的概率降至最低，来提高辐射性衰变发射光子的概率，从而实现了76.4%的平均量子效率。